美国国防高级研究规划署（DARPA）与德克萨斯州当局结合投资14亿美元，规划革新位在德州奥斯汀的德克萨斯电子研究所（TIE）旧厂，打造全世界首个专注在3D异构集成（3DHI）技能的进步前辈试验晶圆厂。该晶圆厂将集成多种半导体质料（包括硅、氮化镓及碳化硅）及差别芯片类型，实现芯片层间的重叠与互联，极年夜晋升微电子器件机能。按照DARPA猜测，硅基芯片重叠机能较传统二维设计晋升可达30倍，采用异质半导体质料则有望晋升100倍。

该晶圆厂是DARPA“下一代微电子制造规划（NGMM）”的焦点基础举措措施，旨于鞭策美国微电子制造技能的革命性奔腾。德克萨斯州当局将出资5.52亿美元，DARPA出资8.4亿美元，估计五年内建成投用后实现自我运营。除了了制造能力，此项目还有将开发要害工艺设计套件及封装设计套件，促成设计尺度的制订与普和。

此外，德州科技年夜学已经得到DARPA及德州当局资助，开展3D异构集成专业的研究生教诲项目，造就下一代芯片设计与制造人材。该晶圆厂设置装备摆设也将为浩繁硬件草创企业提供从原型设计到开端量产的要害平台，助力其超过“试验室到工场”的断层，进一步巩固美国于军事、人工智能及高机能计较范畴的领先职位地方。